真空泵怎么清洗内部挥发物
为什么抽真空越来越慢？
为什么抽真空越来越慢？
由于真空室内有镀膜的沉积物，和其他沉积。这些沉积物，会吸附空气中的水等物质。
在多次开关真空室后会不断带入污染物---手上的油和零件上的挥发物等。在镀膜时，挥发沉积在真空室的阴暗处。
当再次抽真空时，沉积物和它吸取的水等，缓慢挥发出来，减缓了抽真空的速度。而且工作次数越多，沉积物更多，开门次数多，吸附的水更多。如此循环，抽真空的速度越来越慢。
单晶炉加热器如何启动？
基本原理：多晶体硅料经加热熔化，待温度合适后。经过骸籽晶浸入，熔接，引晶，放肩，转肩，等经，收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制。
金属单晶，由于所有的真空系统都会存在漏气，所以如果空气对骇体的质量影响较大就要采用气氛保护。我生长单晶的时候用的是高纯Ar，生长时大概有十几个大气压吧。生长气氛主要还是根据你具体生长的材料和你设备可以保持的真空度而定，如果你的炉子保压不是很好，而且设计当中也可以承受一定的正压就建议使用正压生长。
直拉单晶硅生产过程中的拆炉流程是在收尾完成后停炉6个小时左右的时间进行的，正常情况下是取出晶体，对炉内的挥发物进行清除，并用酒精擦洗。检查热场（石墨托碗、加热器、电极等）是否正常，并根据生产炉次对机械真空泵进行清洗换油。然后进入下一炉的生产流程：装料---抽真空----化料----拉制----停炉---拆炉。
单晶炉加热器打火原理？
基本原理：多晶体硅料经加热熔化，待温度合适后。经过骸籽晶浸入，熔接，引晶，放肩，转肩，等经，收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制。
金属单晶，由于所有的真空系统都会存在漏气，所以如果空气对骇体的质量影响较大就要采用气氛保护。我生长单晶的时候用的是高纯Ar，生长时大概有十几个大气压吧。生长气氛主要还是根据你具体生长的材料和你设备可以保持的真空度而定，如果你的炉子保压不是很好，而且设计当中也可以承受一定的正压就建议使用正压生长。
直拉单晶硅生产过程中的拆炉流程是在收尾完成后停炉6个小时左右的时间进行的，正常情况下是取出晶体，对炉内的挥发物进行清除，并用酒精擦洗。检查热场（石墨托碗、加热器、电极等）是否正常，并根据生产炉次对机械真空泵进行清洗换油。然后进入下一炉的生产流程：装料---抽真空----化料----拉制----停炉---拆炉。